Electronic Design and Solution Fair 2004 ロゴ
出展者一覧


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モシスインターナショナルインク 日本支社
MoSys International, Inc.
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本社 1020 STEWART DRIVE SUNNYVALE, CA 94085
連絡先 〒150-0013
東京都渋谷区恵比寿4-11-9 クオーレエビス302
Quore Ebisu, 302 4-11-9, Ebisu, Shibuya-ku, Tokyo 150-0013, Japan
営業・マーケティング/Sales & Marketing
TEL:(03)3441-2028
FAX:(03)3441-2029
E-mail:info-jp@mosys.com
URL:http://www.mosys.com
出展物紹介 MoSysは50以上の特許技術を保有し、1T-SRAMを知的財産権として開発、ライセンス供与しています。
1T-SRAMは、高密度・低消費電力・高速・低コストの組み込みメモリを実現します。
1トランジスタのビットセルを採用することにより、標準ロジック製造プロセスを使いながら、従来の4トランジスタ、6トランジスタSRAMを上回る高集積度を達成することができます。また、動作時の消費電力も従来のSRAM技術に比べておよそ4分の1にまで抑えています。
■1T-SRAM-Q 垂直のキャパシタ面を持つ高密度のメモリ技術
■1T-SRAM-R Transparent Error Correction(TEC)技術により面積に影響を与えずにソフトエラーレート(SER)を向上させる技術。
■1T-SRAM-M 低消費電力を求められるアプリケーション向けオプション


 
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