318 モシスインターナショナルインク 日本支社 MoSys International, Inc. 会場案内図表示 ■本社 1020 STEWART DRIVE SUNNYVALE, CA 94085 ■連絡先 〒150-0013 東京都渋谷区恵比寿4-11-9 クオーレエビス302 Quore Ebisu, 302 4-11-9, Ebisu, Shibuya-ku, Tokyo 150-0013, Japan 営業・マーケティング／Sales & Marketing TEL:（03）3441-2028 FAX:（03）3441-2029 E-mail:info-jp@mosys.com URL:http://www.mosys.com ■出展物紹介 MoSysは50以上の特許技術を保有し、1T-SRAMを知的財産権として開発、ライセンス供与しています。 1T-SRAMは、高密度・低消費電力・高速・低コストの組み込みメモリを実現します。 １トランジスタのビットセルを採用することにより、標準ロジック製造プロセスを使いながら、従来の４トランジスタ、６トランジスタSRAMを上回る高集積度を達成することができます。また、動作時の消費電力も従来のSRAM技術に比べておよそ4分の1にまで抑えています。 ■1T-SRAM-Q 垂直のキャパシタ面を持つ高密度のメモリ技術 ■1T-SRAM-R Transparent Error Correction（TEC）技術により面積に影響を与えずにソフトエラーレート（SER）を向上させる技術。 ■1T-SRAM-M 低消費電力を求められるアプリケーション向けオプション

	このページを閉じる

日本エレクトロニクスショー協会 phone : 03-5402-7601　FAX:03-5402-7605 http://www.jesa.or.jp ALL Rights Reserved by Japan Electronics Show Association 当サイトはIE5.0以上、 NN4.7以上で動作確認を行っております。