出展者詳細 (株)半導体理工学研究センター(STARC)
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(株)半導体理工学研究センター(STARC)
Semiconductor Technology Academic Research Center

出展物紹介

「多様な設計課題に挑戦するSTARC」
をパネル展示とデモ紹介、ブース内プレゼンテー
ションでご紹介します。
【STARCの革新的設計技術】
・STARCAD-CEL(プロセスフレンドリー設計)が
目指すもの
-最先端LSIの設計課題〜
・STARCAD-Clouseau(テスト&故障解析)
-ばらつき考慮テスト技術
・次世代のMixed Signal設計技術
-次世代MixedSignal設計メソドロジー
・次世代回路アーキテクチャ技術開発
・極低電力回路・システム技術開発
【STARCの標準化技術】
・STARCの推進する設計ガイドライン
・コンパクトモデルの世界標準HiSIM
を中心にSTARC標準化技術を紹介
【産学連携】
・大学共同研究・教育


出展者セミナー

1月27日(木) 時間:15:30 〜 16:15   会場:F202
先端LSIテストの課題への挑戦
-STARCAD-Clouseau-

相京隆/畠山一実
開発第2部 テスト&故障解析開発室 室長/チームリーダー
STARCAD-Clouseauの概要を紹介するとともに,32nm世代に向けたテスト技術の課題に対するSTARCの取り組みを紹介
1月27日(木) 時間:16:30 〜 17:15   会場:F202
次世代MixedSignal設計フロー構築
白川達也
開発第2部 MixedSignal開発室 主任研究員
アナログ設計期間半減を実現するSTARCAD-AMSについての概要を紹介

連絡先

企画部
Planning Department
TEL:045-478-3300   FAX:045-478-3310
E-mail:edsf11_0127@starc.or.jp
URL:http://www.starc.jp

所在地

〒222-0033
神奈川県横浜市港北区新横浜3-17-2 友泉新横浜ビル6階
6F Yusen Shin Yokohama Bldg. 17-2 Shin Yokohama
3chome, Kohoku-ku, Shin Yokohama, Kanagawa-ken,
Japan

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主催者

メディアパートナー

Tech-On

EDN Japan

半導体産業新聞

EE Times Japan

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